Описание
Интерфейс PCIe 4.0 x4/ 5.0 x2, NVMe 2.0
Форм-фактор M.2 (2280)
Энергопотребление в режиме чтения/ записи, Вт 5.5/ 4.7
Энергопотребление в «спящем» режиме (L1.2), мВт 60/ 5
Шифрование данных Class 0 (AES 256), TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667)
Ресурс, TBW 1200
Емкость накопителя 2 ТБ
NAND Samsung V-NAND TLC
Контроллер In-House разработка Samsung
Кэш HMB (Host Memory Buffer)
Рекомендуем
